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SPU18P06P概述

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

通孔 P 通道 18.6A（Tc） - PG-TO251-3

得捷:
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO251-3

Win Source:
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251

SPU18P06P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -18.6 A

极性 P-CH

耗散功率 -

输入电容 860 pF

栅电荷 33.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 18.6 A

输入电容Ciss 860pF @25VVds

额定功率Max 80 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SPU18P06P

型号： SPU18P06P

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

替代型号SPU18P06P

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SPU18P06P Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRFU5505 英飞凌	类似代替	SPU18P06P和IRFU5505的区别
IRFR5505TRPBF 英飞凌	功能相似	SPU18P06P和IRFR5505TRPBF的区别
IRFR5505PBF 英飞凌	功能相似	SPU18P06P和IRFR5505PBF的区别