单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW52N50C3FKSA1, 52 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
得捷:
MOSFET N-CH 560V 52A TO247-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 560V 52A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
富昌:
SPW52N50C3 系列 560 V 0.07 Ohm N沟道 Cool MOS™ 功率 晶体管 - PG-TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 560V 52A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
MOSFET Transistor, CoolMOS, N Channel, 52 A, 560 V, 0.06 ohm, 10 V, 3 V
额定电压DC 560 V
额定电流 52.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.06 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 417 W
阈值电压 3 V
输入电容 6.80 nF
栅电荷 290 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 52.0 A
输入电容Ciss 6800pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 417 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube
制造应用 通信与网络, 电源管理, Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Consumer Electronics, 消费电子产品, Communications & Networking, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPW52N50C3FKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SIHG47N60S-E3 威世 | 功能相似 | SPW52N50C3FKSA1和SIHG47N60S-E3的区别 |