对比图
型号 SIHG47N60S-E3 SPW52N50C3FKSA1 SIHG47N60E-GE3
描述 VISHAY SIHG47N60S-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.057 ohm, 10 V, 2 V单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3VISHAY SIHG47N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.053 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 中高压MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247 TO-247 TO-247-3
额定电压(DC) - 560 V -
额定电流 - 52.0 A -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.057 Ω 0.06 Ω 0.053 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 417 W 417 W 357 W
阈值电压 2 V 3 V 2.5 V
输入电容 - 6.80 nF -
栅电荷 - 290 nC -
漏源极电压(Vds) 600 V 500 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 52.0 A -
输入电容(Ciss) - 6800pF @25V(Vds) 4810pF @100V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 417 W 357 W
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 600 V
上升时间 - - 11 ns
下降时间 - - 13 ns
长度 - 16.13 mm 15.87 mm
宽度 - 5.21 mm 5.31 mm
高度 - 21.1 mm 20.7 mm
封装 TO-247 TO-247 TO-247-3
产品生命周期 - Not Recommended for New Designs -
包装方式 - Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃
ECCN代码 - - EAR99