SGP15N120

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SGP15N120概述

在NPT技术降低40 %的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation

Summary of Features:

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30% lower E off compared to previous generation
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Short circuit withstand time – 10μs
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Designed for operation above 30kHz
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High ruggedness, temperature stable behaviour
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Pb-free lead plating; RoHS compliant
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Qualified according to JEDEC for target applications

Target Applications:

offers a comprehensive IGBT portfolio for the general purpose inverters, solar inverters, UPS, induction heating, microwave oven, rice cookers,  welding and SMPS segments.

SGP15N120中文资料参数规格
技术参数

额定功率 198 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 198 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 9.25 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Design

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

SGP15N120引脚图与封装图
SGP15N120引脚图
SGP15N120封装焊盘图
在线购买SGP15N120
型号: SGP15N120
描述:在NPT技术降低40 %的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation
替代型号SGP15N120
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SGP15N120

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

SKP06N60

英飞凌

完全替代

SGP15N120和SKP06N60的区别

SKP10N60A

英飞凌

完全替代

SGP15N120和SKP10N60A的区别

IRG4BC30UDPBF

英飞凌

类似代替

SGP15N120和IRG4BC30UDPBF的区别

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