SI4562DY-T1-E3

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SI4562DY-T1-E3概述

Dual n/p Channel Mosfet, 20V, 7.1A/-6.2A, Soic-8, Full Reel

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V - 2W 表面贴装型 8-SO


得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC


DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC


SI4562DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 250 mΩ, 330 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2.00 W

漏源极电压Vds 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 7.10 A, 6.20 A

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4562DY-T1-E3
型号: SI4562DY-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:Dual n/p Channel Mosfet, 20V, 7.1A/-6.2A, Soic-8, Full Reel
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SI4562DY-T1-E3和SI4562DY-T1-GE3的区别

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