SI3588DV-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI3588DV-T1-E3概述

Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.5A/0.57A 6Pin TSOP T/R

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 2.5A，570mA 830mW，83mW 表面贴装型 6-TSOP

得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP

DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 20V 2.5/.57A 6TSOP

SI3588DV-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.08 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 830 mW

阈值电压 450 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

数据手册

在线购买SI3588DV-T1-E3

型号： SI3588DV-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.5A/0.57A 6Pin TSOP T/R

替代型号SI3588DV-T1-E3