对比图
型号 SI3588DV-T1-E3 SI3588DV-T1-GE3 FDC6327C
描述 Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.5A/0.57A 6Pin TSOP T/RMOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOPFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6327C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.9 A, 20 V, 0.069 ohm, 4.5 V, 900 mV
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6
漏源极电阻 0.08 Ω - 0.069 Ω
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 830 mW - 960 mW
阈值电压 450 mV - 900 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 20.0 V - 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V - ±8.00 V
连续漏极电流(Ids) 3.00 A - 2.70 A, 1.90 A
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定电流 - - 2.70 A
针脚数 - - 6
输入电容 - - 315 pF
栅电荷 - - 2.85 nC
上升时间 - - 14.0 ns
输入电容(Ciss) - - 325pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - - 700 mW
耗散功率(Max) - - 0.96 W
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6
长度 - - 3 mm
宽度 - - 1.7 mm
高度 - - 1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16 - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99