SI4947ADY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4947ADY-T1-GE3概述

MOSFET 30V 3.9A 2W 80mohm @ 10V

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 3A 1.2W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4925DDY-GE3

DeviceMart:
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

SI4947ADY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual P-Channel

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids -3.00 A

额定功率Max 1.2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4947ADY-T1-GE3

型号： SI4947ADY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 30V 3.9A 2W 80mohm @ 10V

替代型号SI4947ADY-T1-GE3

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SI4947ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

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完全替代

SI4947ADY-T1-GE3和SI4947ADY-T1-E3的区别

SI4947ADY-T1

Vishay Siliconix

功能相似

SI4947ADY-T1-GE3和SI4947ADY-T1的区别