SI4947ADY-T1-E3和SI4947ADY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4947ADY-T1-E3 SI4947ADY-T1-GE3 FDR8508P

描述 Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8Pin SOIC N T/RMOSFET 30V 3.9A 2W 80mohm @ 10V双P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench⑩ Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SSOT-8

引脚数 8 8 -

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -3.00 A

漏源极电阻 0.135 Ω - 40.0 mΩ

极性 Dual P-Channel Dual P-Channel P-Channel

耗散功率 1.2 W - 800 mW

输入电容 - - 750 pF

栅电荷 - - 8.00 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - -30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) -3.00 A -3.00 A 3.00 A

上升时间 9 ns - 14.0 ns

输入电容(Ciss) - - 750pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.2 W 1.2 W 800 mW

热阻 87℃/W (RθJA) - -

下降时间 10 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2 W - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SSOT-8

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 4 mm 3.9 mm -

高度 1.55 mm 1.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/06/16 - -

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台