SI4563DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4563DY-T1-GE3概述

MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 40V 8A 3.25W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC

SI4563DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 2390pF @20VVds

额定功率Max 3.25 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4563DY-T1-GE3

型号： SI4563DY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC

替代型号SI4563DY-T1-GE3

型号/品牌

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SI4563DY-T1-E3

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完全替代

SI4563DY-T1-GE3和SI4563DY-T1-E3的区别

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