SI4511DY-T1-GE3

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SI4511DY-T1-GE3概述

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC


贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3


DeviceMart:
MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC


SI4511DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 20 V

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4511DY-T1-GE3
型号: SI4511DY-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
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