SI5980DU-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5980DU-T1-GE3概述

MOSFET 100V 2.5A 7.8W 0.567Ω @ 10V

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 100V 2.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual

得捷:
MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET

贸泽:
MOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V

DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V PPAK CHIPFET

SI5980DU-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 78pF @50VVds

额定功率Max 7.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 ChipFET-8

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

高度 1.1 mm

封装 ChipFET-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5980DU-T1-GE3

型号： SI5980DU-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 100V 2.5A 7.8W 0.567Ω @ 10V

替代型号SI5980DU-T1-GE3