SI7964DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7964DP-T1-GE3概述

MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 60V 6.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

SI7964DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 60 V

额定功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7964DP-T1-GE3

型号： SI7964DP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

替代型号SI7964DP-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7964DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI7964DP-T1-E3 Vishay Siliconix	完全替代	SI7964DP-T1-GE3和SI7964DP-T1-E3的区别

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