SI7945DP-T1-GE3

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SI7945DP-T1-GE3概述

MOSFET, PP CH, 30V, 7A, PPAK SO8; Transistor Polarity: P Channel; Rdson Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage V...

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 30V 7A 1.4W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双


得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8


DeviceMart:
MOSFET DL P-CH 30V PPAK 8-SOIC


SI7945DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 1.40 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 10.9 A

额定功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7945DP-T1-GE3
型号: SI7945DP-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET, PP CH, 30V, 7A, PPAK SO8; Transistor Polarity: P Channel; Rdson Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage V...
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