SI4944DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4944DY-T1-E3概述

MOSFET N-CH DUAL 30V 9.3A 8-SOIC

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 9.3A 1.3W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

贸泽:
MOSFET DUAL N-CH 30V D-S

DeviceMart:
MOSFET N-CH DUAL 30V 9.3A 8-SOIC

SI4944DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, Dual N-Channel

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 12.2 A

额定功率Max 1.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4944DY-T1-E3

型号： SI4944DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 9.3A 8-SOIC

替代型号SI4944DY-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4944DY-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI4922BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI4944DY-T1-E3和SI4922BDY-T1-E3的区别
SI4804BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI4944DY-T1-E3和SI4804BDY-T1-E3的区别
SI9926CDY-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI4944DY-T1-E3和SI9926CDY-T1-E3的区别