SI7911DN-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7911DN-T1-GE3概述

MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 4.2A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

DeviceMart:
MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK

SI7911DN-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 20 V

额定功率Max 1.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1212-8

外形尺寸

封装 1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7911DN-T1-GE3

型号： SI7911DN-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8

替代型号SI7911DN-T1-GE3