SI7958DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7958DP-T1-GE3概述

MOSFET DL N-CH 40V PPAK 8-SOIC

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 40V 7.2A 1.4W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双

得捷:
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

DeviceMart:
MOSFET DL N-CH 40V PPAK 8-SOIC

SI7958DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, Dual N-Channel

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 11.3 A

额定功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7958DP-T1-GE3

型号： SI7958DP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET DL N-CH 40V PPAK 8-SOIC

替代型号SI7958DP-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7958DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI7958DP-T1-E3 Vishay Siliconix	完全替代	SI7958DP-T1-GE3和SI7958DP-T1-E3的区别

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Vishay Siliconix

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