SI5513DC-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5513DC-T1-GE3概述

MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 3.1A，2.1A 1.1W 表面贴装型 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

SI5513DC-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 20 V

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5513DC-T1-GE3

型号： SI5513DC-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

替代型号SI5513DC-T1-GE3