SI5509DC-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5509DC-T1-E3概述

MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 6.1A，4.8A 4.5W 表面贴装型 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8

SI5509DC-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, P-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

输入电容Ciss 455pF @10VVds

额定功率Max 4.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI5509DC-T1-E3

型号： SI5509DC-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

替代型号SI5509DC-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI5509DC-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI5509DC-T1-GE3 Vishay Siliconix	完全替代	SI5509DC-T1-E3和SI5509DC-T1-GE3的区别

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