Si5906DU Series Dual N-Channel 30V 31mOhm 10.4W Surface Mount Mosfet
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 6A 10.4W 表面贴装型 PowerPAK® ChipFet 双
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
贸泽:
MOSFET 30V 6.0A 10.4W 31mohm @ 10V
DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
极性 N-Channel, Dual N-Channel
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
输入电容Ciss 300pF @15VVds
额定功率Max 10.4 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK-ChipFET-8
长度 3 mm
宽度 1.8 mm
高度 0.75 mm
封装 PowerPAK-ChipFET-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI5906DU-T1-GE3 Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
SI5936DU-T1-GE3 Vishay Siliconix | 功能相似 | SI5906DU-T1-GE3和SI5936DU-T1-GE3的区别 |
906D Vishay Siliconix | 功能相似 | SI5906DU-T1-GE3和906D的区别 |