SI6925ADQ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI6925ADQ-T1-GE3概述

MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 3.3A 800mW 表面贴装型 8-TSSOP

得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP

DeviceMart:
MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP

SI6925ADQ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, Dual N-Channel

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 3.90 A

额定功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6925ADQ-T1-GE3

型号： SI6925ADQ-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP

替代型号SI6925ADQ-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI6925ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
NTUD3169CZT5G 安森美	功能相似	SI6925ADQ-T1-GE3和NTUD3169CZT5G的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI6925ADQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

当前型号

NTUD3169CZT5G

安森美

功能相似