NTUD3169CZT5G和SI6925ADQ-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTUD3169CZT5G SI6925ADQ-T1-GE3 FDC655BN

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTUD3169CZT5G.  场效应管, MOSFET, N+P沟道, 20V, SOT-963MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOPFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC655BN  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 8 6

封装 SOT-963-6 TSSOP-8 TSOT-23-6

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 6.30 A

针脚数 6 - 6

漏源极电阻 0.75 Ω - 0.021 Ω

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, Dual N-Channel N-Channel

耗散功率 125 mW - 1.6 W

阈值电压 1 V - 1.9 V

输入电容 - - 570 pF

栅电荷 - - 10.0 nC

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 280 mA 3.90 A 6.30 A

上升时间 - - 4 ns

输入电容(Ciss) 12.5pF @15V(Vds) - 570pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 125 mW 800 mW 800 mW

下降时间 - - 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW - 1.6 W

通道数 2 - -

长度 1.05 mm - 3 mm

宽度 0.85 mm - 1.7 mm

高度 0.4 mm - 1 mm

封装 SOT-963-6 TSSOP-8 TSOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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