SI9933BDY-T1-E3

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SI9933BDY-T1-E3概述

MOSFET, Power; Dual P-Channel; -20V; 12V; 3.4A; 2W; -55 to 150℃

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 3.6A 1.1W Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC


SI9933BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 20 V

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI9933BDY-T1-E3
型号: SI9933BDY-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET, Power; Dual P-Channel; -20V; 12V; 3.4A; 2W; -55 to 150℃
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