SI9934BDY-T1-E3

SI9934BDY-T1-E3图片1
SI9934BDY-T1-E3图片2
SI9934BDY-T1-E3图片3
SI9934BDY-T1-E3图片4
SI9934BDY-T1-E3图片5
SI9934BDY-T1-E3图片6
SI9934BDY-T1-E3图片7
SI9934BDY-T1-E3图片8
SI9934BDY-T1-E3图片9
SI9934BDY-T1-E3概述

MOSFET DUAL P-CH 12V 4.8A 8-SOIC

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 12V 4.8A 1.1W Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8-SOIC


DeviceMart:
MOSFET DUAL P-CH 12V 4.8A 8-SOIC


SI9934BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 Dual P-Channel

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids -6.40 A

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI9934BDY-T1-E3
型号: SI9934BDY-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET DUAL P-CH 12V 4.8A 8-SOIC
替代型号SI9934BDY-T1-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI9934BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

当前型号

当前型号

SI9934BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

完全替代

SI9934BDY-T1-E3和SI9934BDY-T1-GE3的区别

SI4913DY-T1-E3

Vishay Siliconix

类似代替

SI9934BDY-T1-E3和SI4913DY-T1-E3的区别

SI9933CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

类似代替

SI9934BDY-T1-E3和SI9933CDY-T1-E3的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司