SI7501DN-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7501DN-T1-GE3概述

MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 5.4A, 4.5A 1.6W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

贸泽:
MOSFET N/P-Ch MOSFET 30V 51/35mohoms @10V

DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 30V PPAK 1212-8

SI7501DN-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.028 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

漏源极电压Vds 30 V

额定功率Max 1.6 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1212-8

外形尺寸

封装 1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI7501DN-T1-GE3

型号： SI7501DN-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

替代型号SI7501DN-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7501DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI7501DN-T1-E3 Vishay Siliconix	完全替代	SI7501DN-T1-GE3和SI7501DN-T1-E3的区别

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SI7501DN-T1-E3

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