SI7848DP-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7848DP-T1-E3概述

MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8

N-Channel 40V 10.4A Ta 1.83W Ta Surface Mount PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI7848BDP-E3

SI7848DP-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.83W Ta

漏源极电压Vds 40 V

耗散功率Max 1.83W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7848DP-T1-E3

型号： SI7848DP-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8

替代型号SI7848DP-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7848DP-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI7848BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI7848DP-T1-E3和SI7848BDP-T1-GE3的区别

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Vishay Siliconix

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