SI1025X-T1-E3

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SI1025X-T1-E3概述

Dual P-Channel 60V 4Ω Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SC-89-6

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 60V 190mA 250mW 表面贴装型 SC-89-6


得捷:
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F


SI1025X-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 4.00 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 -60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 500 mA

输入电容Ciss 23pF @25VVds

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-89-6

外形尺寸

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1025X-T1-E3
型号: SI1025X-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:Dual P-Channel 60V 4Ω Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SC-89-6
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