SI4808DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4808DY-T1-E3概述

MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

SI4808DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 22.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.00 W

漏源极电压Vds 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 7.50 A

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4808DY-T1-E3

型号： SI4808DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC

替代型号SI4808DY-T1-E3