MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V 305mA，190mA 250mW 表面贴装型 SC-89-6
得捷:
MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
漏源极电阻 1.4 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 250 mW
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
输入电容Ciss 30pF @25VVds
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-89-6
长度 1.7 mm
高度 0.5 mm
封装 SC-89-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI1029X-T1-E3 Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
SI1029X-T1-GE3 Vishay Siliconix | 类似代替 | SI1029X-T1-E3和SI1029X-T1-GE3的区别 |