SI1026X-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1026X-T1-E3概述

MOSFET 2N-CH 60V 305mA SOT563F

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 60V 305mA 250mW 表面贴装型 SC-89-6

得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI1026X-T1-GE3

SI1026X-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 30pF @25VVds

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-89-6

外形尺寸

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1026X-T1-E3

型号： SI1026X-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 60V 305mA SOT563F

替代型号SI1026X-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI1026X-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI1026X-T1-GE3 Vishay Siliconix	完全替代	SI1026X-T1-E3和SI1026X-T1-GE3的区别

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