SI1035X-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1035X-T1-E3概述

MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 145mA 250mW Surface Mount SC-89-6

得捷:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

SI1035X-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 20 V

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-89-6

外形尺寸

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1035X-T1-E3

型号： SI1035X-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

替代型号SI1035X-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI1035X-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI1035X-T1-GE3 Vishay Siliconix	完全替代	SI1035X-T1-E3和SI1035X-T1-GE3的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI1035X-T1-E3

Vishay Siliconix

当前型号

SI1035X-T1-GE3

Vishay Siliconix

完全替代