SI4952DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4952DY-T1-GE3概述

MOSFET N-CH DUAL 25V 8A 8-SOIC

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 25V 8A 2.8W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

SI4952DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, Dual N-Channel

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

输入电容Ciss 680pF @13VVds

额定功率Max 2.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4952DY-T1-GE3

型号： SI4952DY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH DUAL 25V 8A 8-SOIC

替代型号SI4952DY-T1-GE3

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替代型号对比

SI4952DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

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SI4952DY-T1-E3

Vishay Siliconix

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SI4952DY-T1-GE3和SI4952DY-T1-E3的区别