SI7462DP-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI7462DP-T1-E3概述

MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8

表面贴装型 N 通道 200 V 2.6A（Ta） PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8

Allied Electronics:
N-CHANNEL 200-V D-S MOSFET

SI7462DP-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.142 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 4.10 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.9W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

长度 5.99 mm

封装 PowerPAKSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7462DP-T1-E3

型号： SI7462DP-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8

替代型号SI7462DP-T1-E3

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SI7462DP-T1-E3

Vishay Siliconix

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SI7462DP-T1-GE3

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SI7462DP-T1-E3和SI7462DP-T1-GE3的区别