MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFET
表面贴装型 P 通道 20 V 4.5A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET™
得捷:
MOSFET P-CH 20V 4.5A 1206-8
漏源极电阻 0.045 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.3 W
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids -6.20 A
热阻 50℃/W RθJA
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 1206
长度 3.1 mm
高度 1.1 mm
封装 1206
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI5461EDC-T1-E3 Vishay Siliconix | 当前型号 | 当前型号 |
SI5401DC-T1-E3 Vishay Siliconix | 类似代替 | SI5461EDC-T1-E3和SI5401DC-T1-E3的区别 |
SI5441BDC-T1-E3 Vishay Siliconix | 类似代替 | SI5461EDC-T1-E3和SI5441BDC-T1-E3的区别 |
SI5461EDC-T1-GE3 Vishay Siliconix | 类似代替 | SI5461EDC-T1-E3和SI5461EDC-T1-GE3的区别 |