SPN04N60C2

SPN04N60C2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 0.8A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SPN04N60C2
型号: SPN04N60C2
制造商: Infineon 英飞凌
描述:酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
替代型号SPN04N60C2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SPN04N60C2

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

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