SSM3J13T

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SSM3J13T概述

SSM3J13T P沟道MOS场效应管 -12V -3A 0.05ohm SOT-23 marking/标记 KDH 电源管理开关 高速开关 低导通电阻

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -12V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.05Ω @-1.5A,-4V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.45V-1.1V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.25W Description & Applications| Power Management Switch High Speed Switching Applications • Small Package • Low on Resistance : Ron = 70 mΩ max @VGS = −4 V Ron = 95 mΩ max @VGS = −2.5 V • Low Gate Threshold Voltage 描述与应用| 电源管理开关 高速开关应用 •小包装 •低导通电阻RON= 70MΩ(最大)(@ VGS=-4 V) 罗恩=95MΩ(最大)(@ VGS=-2.5 V) •低栅极阈值电压

SSM3J13T中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage -12V

最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage 8V

最大漏极电流IdDrain Current -3A

源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance 0.05Ω @-1.5A,-4V

开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage -0.45V-1.1V

耗散功率PdPower Dissipation 1.25W

规格书PDF __

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SSM3J13T
制造商: Toshiba 东芝
描述:SSM3J13T P沟道MOS场效应管 -12V -3A 0.05ohm SOT-23 marking/标记 KDH 电源管理开关 高速开关 低导通电阻

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