STP27N60M2-EP参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP27N60M2-EP概述

TO-220 N-CH 600V 20A

N-Channel 600V 20A Tc 170W Tc Through Hole TO-220

得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

STP27N60M2-EP中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 170 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 8.1 ns

输入电容Ciss 1320pF @100VVds

下降时间 6.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 170W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

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型号： STP27N60M2-EP

描述：TO-220 N-CH 600V 20A