SI4660DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4660DY-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

表面贴装型 N 通道 25 V 23.1A（Tc） 3.1W（Ta），5.6W（Tc） 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 25V 23.1A 8SO

DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

SI4660DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 3.1W Ta, 5.6W Tc

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 23.1 A

输入电容Ciss 2410pF @15VVds

耗散功率Max 3.1W Ta, 5.6W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4660DY-T1-GE3

型号： SI4660DY-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

替代型号SI4660DY-T1-GE3

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代替类型

替代型号对比

SI4660DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

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SI4168DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

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SI4660DY-T1-GE3和SI4168DY-T1-GE3的区别