SI3475DV-T1-GE3

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SI3475DV-T1-GE3概述

MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61Ω @ 10V

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


得捷:
MOSFET P-CH 200V 950MA 6TSOP


贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI3437DV-GE3


SI3475DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2W Ta, 3.2W Tc

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 500pF @50VVds

耗散功率Max 2W Ta, 3.2W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3475DV-T1-GE3
型号: SI3475DV-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61Ω @ 10V
替代型号SI3475DV-T1-GE3
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