SPB80N10LG

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SPB80N10LG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 80.0 A

输入电容 4.54 nF

栅电荷 240 nC

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

输入电容Ciss 4540pF @25VVds

额定功率Max 250 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SPB80N10LG
型号: SPB80N10LG
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Power Field-Effect Transistor, 80A ID, 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, 3 PIN
替代型号SPB80N10LG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SPB80N10LG

Infineon 英飞凌

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SPP80N10L

英飞凌

完全替代

SPB80N10LG和SPP80N10L的区别

SPI80N10L

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完全替代

SPB80N10LG和SPI80N10L的区别

SPB80N10L

英飞凌

完全替代

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