SSM6L16FE 复合场效应管 20V/-20V 100mA/-100mA SOT-563/ES6 marking/标记 K6 高速开关
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 20V/-20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 10V/10V 最大漏极电流IdDrain Current| 100mA/-100mA 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 3Ω@ VGS = 4V, ID = 10mA/ 8Ω@ VGS = -4V, ID = -10mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.6~1.1V/-0.6~-1.1V 耗散功率PdPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Small package • Low on-resistance Q1: Ron = 4 Ω max @VGS = 2.5 V Q2: Ron = 12 Ω max @VGS = −2.5 V 描述与应用| 场效应晶体管的硅P/ N沟道MOS类型 高速开关应用 模拟开关应用 •小型封装 •低导通电阻Q1：RON =4Ω（最大）（@ VGS=2.5 V） Q2：RON= 12Ω（最大）（@ VGS= -2.5 V）