SSM3K7002BSU

SSM3K7002BSU N沟道MOSFET 60V 200mA/0.2A SOT-323/USM/SC-70 marking/标记 NM 增强模式/逻辑电平

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 200mA/0.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 1.62Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.5-3.1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Small package • Low ON-resistance : RDSON = 3.3Ω max @VGS = 4.5 V RDSON = 2.6 Ω max @VGS = 5 V RDSON = 2.1 Ω max @VGS = 10V 描述与应用| 高速开关应用 模拟开关应用 •小型封装 •低导通电阻RDS（ON）= 3.3Ω（最大）（@ VGS= 4.5 V） RDS（ON）=2.6（最大值）（@ VGS=5 V） RDS（ON）=2.1Ω​​（最大值）（@ VGS=10 V）