S3MHE3/57T

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S3MHE3/57T中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.15V @2.5A

反向恢复时间 2.5 µs

正向电压Max 1.15V @2.5A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AB

外形尺寸

封装 DO-214AB

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买S3MHE3/57T
型号: S3MHE3/57T
描述:DIODE GEN PURP 1kV 3A DO214AB
替代型号S3MHE3/57T
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

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