SIR482DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIR482DP-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

表面贴装型 N 通道 35A（Tc） 5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

SIR482DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 5W Ta, 27.7W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1575pF @15VVds

耗散功率Max 5W Ta, 27.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SIR482DP-T1-GE3

型号： SIR482DP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

替代型号SIR482DP-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SIR482DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SIR330DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SIR482DP-T1-GE3和SIR330DP-T1-GE3的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SIR482DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

当前型号

SIR330DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

功能相似