SI2305ADS-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI2305ADS-T1-E3概述

MOSFET 8V 4.1A 1.7W 40mohm @ 4.5V

P-Channel 8V 5.4A Tc 960mW Ta, 1.7W Tc Surface Mount SOT-23-3 TO-236

得捷:
MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

贸泽:
MOSFET 8.0V 4.1A 1.7W 40mohm @ 4.5V

SI2305ADS-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 960mW Ta, 1.7W Tc

漏源极电压Vds 8 V

输入电容Ciss 740pF @4VVds

耗散功率Max 960mW Ta, 1.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.45 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI2305ADS-T1-E3

型号： SI2305ADS-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 8V 4.1A 1.7W 40mohm @ 4.5V

替代型号SI2305ADS-T1-E3