SUP70N03-09BP-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUP70N03-09BP-E3概述

Transistor MOSFET N-CH 30V 70A 3Pin3+Tab TO-220AB

通孔 N 通道 70A（Tc） 93W（Tc） TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 30V 70A TO220AB

SUP70N03-09BP-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 9.00 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 93W Tc

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

输入电容Ciss 1500pF @25VVds

耗散功率Max 93W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUP70N03-09BP-E3

型号： SUP70N03-09BP-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Transistor MOSFET N-CH 30V 70A 3Pin3+Tab TO-220AB

替代型号SUP70N03-09BP-E3