STW70N60M2-4参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

STW70N60M2-4图片1

STW70N60M2-4概述

N沟道 600V 68A

通孔 N 通道 68A（Tc） 450W（Tc） TO-247

得捷:
MOSFET N-CH 600V 68A TO247

立创商城:
N沟道 600V 68A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 68A Tube

安富利:
MOS Power Transistors HV >= 200V

STW70N60M2-4中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 450W Tc

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 5200pF @100VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 450W Tc

封装参数

封装 TO-247-4

外形尺寸

封装 TO-247-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买STW70N60M2-4

型号： STW70N60M2-4

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道 600V 68A