SI7413DN-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7413DN-T1-GE3概述

MOSFET 20V 13.2A 3.8W 15mohm @ 4.5V

P-Channel 20V 8.4A Ta 1.5W Ta Surface Mount PowerPAK® 1212-8

得捷:
MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8

贸泽:
MOSFET 20V 13.2A 3.8W 15mohm @ 4.5V

SI7413DN-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.5W Ta

漏源极电压Vds 20 V

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1212-8

外形尺寸

封装 1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7413DN-T1-GE3

型号： SI7413DN-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 13.2A 3.8W 15mohm @ 4.5V

替代型号SI7413DN-T1-GE3