SUD40N02-3M3P-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUD40N02-3M3P-E3概述

MOSFET N-CH 20V 24.4A TO252

表面贴装型 N 通道 20 V 24.4A（Ta），40A（Tc） 3.3W（Ta），79W（Tc） TO-252，（D-Pak）

得捷:
MOSFET N-CH 20V 24.4A/40A TO252

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

SUD40N02-3M3P-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.3W Ta, 79W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 6520pF @10VVds

耗散功率Max 3.3W Ta, 79W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUD40N02-3M3P-E3

型号： SUD40N02-3M3P-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V 24.4A TO252

替代型号SUD40N02-3M3P-E3