SI7886ADP-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7886ADP-T1-E3概述

MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

N-Channel 30V 15A Ta 1.9W Ta Surface Mount PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

SI7886ADP-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.9W Ta

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 6450pF @15VVds

耗散功率Max 1.9W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7886ADP-T1-E3

型号： SI7886ADP-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

替代型号SI7886ADP-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7886ADP-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SIR466DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI7886ADP-T1-E3和SIR466DP-T1-GE3的区别

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